什么是場效應(yīng)管?
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。
一、場效應(yīng)管的分類
場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場效應(yīng)管,簡稱mos管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。
按溝道半導(dǎo)體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
二、場效應(yīng)三極管的型號命名方法
現(xiàn)行有兩種命名方法。
第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管,O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。
第二種命名方法是CS××#,CS代表場效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號的序號,#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。
三、場效應(yīng)管的參數(shù)
場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù):
1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓U GS=0時的漏源電流。
2、UP
工作在開關(guān)狀態(tài)下的三極管都可以叫開關(guān)管。三極管有PNP、NPN、單結(jié)晶體管等。
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